什么是晶圆的完全干法清洗

晶圆的前段制程需要使用大量的水。因此，在建厂选址时就要限定在能够大量取水的地方，而且还需要废水处理设施。因此，有人提议采用完全干法清洗工艺。但是，随着使用研磨料的CMP的登场，完全干法清洗的想法烟消云散。至少在CMP工艺后，我们只能选择湿法清洗。

但是，并不是所有的干法清洗都消失了。最近通过紫外线照射的干燥清洗等方法也受到关注。另外，也有人提出用气溶胶颗粒进行清洗。这些方法作为干燥工艺不需要大型设备，也不需要真空，所以最近正在得到更多厂商的青睐。

前者在去除有机污染方面效果显著，在TFT工艺等方面开始使用。后者虽然能有效降低对环境的影响，但吞吐量方面还存在未知数。

紫外线照射清洗

该技术是利用有机化合物的光敏氧化作用达到去除黏附在材料表面上的有机物质，经过光清洗后的材料表面可以达到"原子清洁度"。UV光源发射波长为185nm和254nm的光波，具有很高的能量，当这些光子作用到被清洗物体表面时，由于大多数碳氢化合物对185nm波长的紫外光具有较强的吸收能力，并在吸收185nm波长的紫外光的能量后分解成离子、游离态原子、受激分子和中子，这就是所谓光敏作用。

空气中的氧气分子在吸收了185nm波长的紫外光后也会产生臭氧和原子氧。臭氧对254nm波长的紫外光同样具有强烈的吸收作用，臭氧又分解为原子氧和氧气。其中原子氧是极活泼的,在它作用下，物体表面上的碳和碳氢化合物的分解物可化合成可挥发的气体：二氧化碳和水蒸气等逸出表面，从而彻底清除了黏附在物体表面上的碳和有机污染物。

气溶胶颗粒清洗

气溶胶是由惰性气体（如氩气或氮气）膨胀产生的。颗粒通过气溶胶簇的机械冲击而脱落，它们的悬浮和去除受到晶片表面上流动流中的热泳和湍流升力等现象的影响。

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